Cacat kristalografiMikroskopi elektron antisitus (a, pengganti Mo untuk S) dan kekosongan (b, atom S yang hilang) dalam monolapisanmolibdenum disulfida. Tingkat skala: 1 nm.[1]
Cacat kristalografi adalah gangguan pola reguler dalam padatan kristal. Mereka umum karena posisi atom atau molekul pada jarak tetap berulang ditentukan oleh parameter satun sel dalam kristal, yang menunjukkan struktur kristal periodik, yang biasanya tidak sempurna.[2][3][4][5]
↑Siegel, R. W. (1982) Atomic Defects and Diffusion in Metals, in Point Defects and Defect Interactions in Metals, J.-I. Takamura (ED.), p. 783, North Holland, Amsterdam
↑Crawford, J. H.; Slifkin, L. M., ed. (1975). Point Defects in Solids. New York: Plenum Press.
↑Watkins, G. D. (1997) "Native defects and their interactions with impurities in silicon", p. 139 in Defects and Diffusion in Silicon Processing, T. Diaz de la Rubia, S. Coffa, P. A. Stolk, and C. S. Rafferty (eds), vol. 469 of MRS Symposium Proceedings, Materials Research Society, Pittsburgh, ISBN1-55899-373-8